一、 手持金屬探測器的原理

　　本手持金屬探測器由高頻振蕩器、振蕩檢測器、音頻振蕩器和功率放大器等組成。

　　高頻振蕩器

　　由三極管VT1和高頻變壓器T1等組成，是一種變壓器反饋型LC振蕩器。T1的初級線圈L1和電容器C1組成LC并聯振蕩回路，其振蕩頻率約200kHz，由L1的電感量和C1的電容量決定。T1的次級線圈L2作為振蕩器的反饋線圈，其“C”端接振蕩管VT1的基極，“D”端接VD2。由于VD2處于正向導通狀態，對高頻信號來說，“D”端可視為接地。在高頻變壓器T1中，如果“A” 和“D”端分別為初、次級線圈繞線方向的首端，則從“C”端輸入到振蕩管VT1基極的反饋信號，能夠使電路形成正反饋而產生自激高頻振蕩。振蕩器反饋電壓的大小與線圈L1、L2的匝數比有關，匝數比過小，由于反饋太弱，不容易起振，過大引起振蕩波形失真，還會使手持金屬探測器靈敏度大為降低。振蕩管VT1的偏置電路由R2和二極管VD2組成，R2為VD2的限流電阻。由于二極管正向閾值電壓恒定(約0.7V)，通過次級線圈L2加到VT1的基極，以得到穩定的偏置電壓。顯然，這種穩壓式的偏置電路能夠大大增強VT1高頻振蕩器的穩定性。為了進一步提高手持金屬探測器的可靠性和靈敏度，高頻振蕩器通過穩壓電路供電，其電路由穩壓二極管VD1、限流電阻器R6和去耦電容器C5組成。振蕩管VT1發射極與地之間接有兩個串聯的電位器，具有發射極電流負反饋作用，其電阻值越大，負反饋作用越強，VT1的放大能力也就越低，甚至于使電路停振。RP1為振蕩器增益的粗調電位器，RP2為細調電位器。

　　振蕩檢測器

　　振蕩檢測器由三極管開關電路和濾波電路組成。開關電路由三極管VT2、二極管 VD2等組成，濾波電路由濾波電阻器R3，濾波電容器C2、C3和C4組成。在開關電路中，VT2的基極與次級線圈L2的“C”端相連，當高頻振蕩器工作時，經高頻變壓器T1耦合過來的振蕩信號，正半周使VT2導通，VT2集電極輸出負脈沖信號，經過π型RC濾波器，在負載電阻器R4上輸出低電平信號。當高頻振蕩器停振蕩時，“C”端無振蕩信號，又由于二極管VD2接在VT2發射極與地之間，VT2基極被反向偏置，VT2處于可靠的截止狀態，VT2集電極為高電平，經過濾波器，在R4上得到高電平信號。由此可見，當高頻振蕩器正常工作時，在R4上得到低電平信號，停振時，為高電平，由此完成了對振蕩器工作狀態的檢測。

　　音頻振蕩器

　　音頻振蕩器采用互補型多諧振蕩器，由三極管VT3、VT4，電阻器R5、R7、 R8和電容器C6組成。互補型多諧振蕩器采用兩只不同類型的三極管，其中VT3為NPN型三極管，VT4為PNP型三極管，連接成互補的、能夠強化正反饋的電路。在電路工作時，它們能夠交替地進入導通和截止狀態，產生音頻振蕩。R7既是VT3負載電阻器，又是VT3導通時VT4基極限流電阻器。R8是 VT4集電極負載電阻器，振蕩脈沖信號由VT4集電極輸出。R5和C6等是反饋電阻器和電容器，其數值大小影響振蕩頻率的高低。

　　功率放大器

　　功率放大器由三極管VT5、揚聲器BL等組成。從多諧振蕩器輸出的正脈沖音頻信號經限流電阻器R9輸入到VT5的基極，使其導通，在BL產生瞬時較強的電流，驅動揚聲器發聲。由于VT5處于開關工作狀態，而導通時間又非常短，因此功率放大器非常省電，可以利用9V積層電池供電。

　　調節高頻振蕩器的增益電位器，恰好使振蕩器處于臨界振蕩狀態，也就是說剛好使振蕩器起振。當探測線圈L1靠近金屬物體時，由于電磁感應現象，會在金屬導體中產生渦電流，使振蕩回路中的能量損耗增大，正反饋減弱，處于臨界態的振蕩器振蕩減弱，甚至無法維持振蕩所需的最低能量而停振。如果能檢測出這種變化，并轉換成聲音信號，根據聲音有無，就可以判定探測線圈下面是否有金屬物體了。

　　互補型多諧振蕩器的工作原理

　　接通電源時，由于VT3基極接有偏置電阻器R1、R3而被正向偏置，假設VT3集電極電流處于上升階段，VT4基極電流隨之上升，導致VT4集電極電流劇增，VT4集電極電位隨之迅速升高，由VT4輸出的電流通過與之相連的R5向C6 充電，流經VT3的基極入地，又導致VT3基極電流進一步升高。如此反復循環，強烈的正反饋使得VT3、VT4迅速進入飽和導通狀態，VT4集電極處于高電平，使多諧振蕩器進入第一個暫穩態過程。隨著電源通過飽和導通的VT4經R5向C6充電，當VT3基極電流下降到一定程度時，VT3退出飽和導通狀態，集電極電流開始減小，導致VT4集電極電流減小，VT4集電極電位下降，這一過程又進一步加劇了向C6充電電流迅速減小，VT3基極電位急劇降低而使 VT3截止，VT4集電極迅速跌至低電平，多諧振蕩器翻轉到第二個暫穩態。多諧振蕩器剛進入第二暫穩態時，先前向C6充電的結果，其電容器右端為正，左端為負，現在C6右端對地為低電平，由于電容器C6兩端電壓不能躍變，故VT3基極被C6左端負電位強烈反向偏置，使兩只三極管在較長時間繼續保持截止狀態。在C6放電時，電流從電容器右端流出，主要流經R5、(R8)、R9、VT5發射結入地，又經過電源、R6、R1、R3流回電容器C6左端。直到C6 放電結束，電源繼續通過上述回路開始對C6反向充電，C6左端為正。當C6兩端的電位上升至0.7V，VT3開始進入導通狀態，經過強烈正反饋，迅速進入飽和導通狀態，使電路再次發生翻轉，重復先前的暫穩態過程，如此周而復始，電路產生自激多諧振蕩。從電路工作過程可以看出，向C6充電時，充電電阻器R5 電阻值較小，因此充電過程較快，電路處在飽和導通狀態時間很短;而在C6放電時，需要流經許多有關電阻器，放電電阻器總的數值較大，因而放電過程較慢，也就是說電路處于截止時間較長。因此，從VT4集電極輸出波形占空比很大，正脈沖信號的脈寬很窄，其振蕩頻率約330Hz 。

　　一、 探測器的實際探測深度能達到多深?是不是像商家宣傳的那樣，探測深度可以達到十幾米!?

　　同樣給大家從探測器工作原理的角度解析。探測器都是運用的電磁感應的原理。所以要想探測到金屬必須有磁場才能夠探測到。大家都知道。距離越遠，磁場越弱。那么，就給大家詳細介紹一下，磁場強度和距離的關系：

　　磁場強度跟距離的立方成反比。也就是說距離磁感應線圈越遠，磁場衰減的幅度就越大。正由于手持金屬探測器大都運用的電磁感應的原理，距離探盤越遠，磁場衰減的幅度就越大。

　　公式：ε(金屬產生的感應電動勢)*L*L*L(金屬和磁感應線圈距離)=N(定值)

　　示意圖：

　　通過以上的講解，大家可以清楚的看出：金屬和探測盤距離越來越遠，磁場強度越來越弱，最后基本上等于零了。這也就說明了探測器的實際探測深度一般不會超過2米。那些標著最大探測深度可以探測15米的，明顯的夸大其詞，不足為信。

　　二、 手持探測器的實際探測深度一般不會超過兩米，那為什么價格差距那么大呢?

　　實際上，探測深度只是判定一款探測器好壞的標準之一。還有很多其他的判斷標準，例如：是否有多種探測模式可以選擇;有沒有手動地表抓斗功能和自動地表抓斗功能，能不能更好的排除“礦化反應”;能不能區分不同類別的金屬;是否有目標定位功能;能不能顯示目標的導電性;顯示不顯示目標的相對深度。正由于以上原因，導致了同樣探測深度的產品，價格懸殊很大。打個比方說一下：探測深度就好比硬件，在科技發達的今天，硬件水平已經達到了頂端，不可能再超越的時候，就得拼軟實力了，這時候就得看產品的軟件。 誰的產品穩定性更高、排除外在干擾能力越強，誰的產品就越能夠占據市場。

推薦閱讀

ZK803--大屏幕彩色液晶顯示型通過式金屬安檢門

熱成像攝像機

高端型手機安檢門

x光機安檢門的選擇

醫院防疫衛士：紅外熱成像測溫儀